第9章 半导体的光学性质
9.1 半导体的光学常数9.2 本征吸收9.3 激子吸收9.4 其他光吸收过程9.5 PN结的光生伏打效应9.6 半导体发光9.7 非辐射复合9.8 发光二极管（LED）9.9 高效率的半导体发光材料       
半导体的光学性质研究历史
早在20世纪30年代人们就通过光吸收测量了半导体的禁带宽度。20世纪50年代对吸收光谱的研究所取得的最重要的进展是，区别了直接带隙半导体和间接带隙半导体，并测量了一些重要的能带参数。通过对微波范围的共振吸收—回旋共振，相当直接地证明了Ge、Si的导带的多谷结构。与此同时，准确地测量了有效质量。20世纪60年代以来，相继对许多半导体的反射光谱进行了研究，配合理论计算，对半导体的能带结构取得了相当系统的认识。对半导体的光学性质的研究也是设计和制造半导体光电器件的理论依据。
9.1 半导体的光学常数