InGaAs/InP单光子雪崩光电二级管的制备及研究
基于快速发展的量子通信等技术对近红外单光子探测的需求，本论文主要针对吸收、渐变、电荷控制、倍增分离（SAGCM）结构InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）进行了相关研究，通过优化器件的工艺，制备出InGaAs/InPAPD器件，并对测量所出现的相关问题进行了理论模拟分析。具体内容如下：1、采用TCAD软件模拟了电荷层、倍增层和保护环的结构参数对APD的影响。
其中，电荷控制层的电荷面密度增加会使得APD的击穿电压线性线性减小（变化率40V/1E12cm-2），而贯穿电压线性上升（变化率4V/1E12cm-2），电荷层的影响主要是通过调节SAGCMAPD中吸收层和倍增层之间的电场来影响击穿电压和贯穿电压的。倍增层厚度的增加，会使得贯穿电压线性上升，而击穿电压出现先急速减小后缓慢增加的形态，这一原因是由倍增层厚度对电场调节和碰撞电离影响共同作用造成的。
而保护环结构会对抑制器件的边缘尖峰电场。器件的结构参数是器件设计的基础。
2、通过SCM、SIMS、ECV等手段研究了闭馆扩散Zn形成InP的p型掺杂。研究表明，扩散掺杂的空穴浓度 ...