nc-Si:H薄膜的结构特征和光电特性
本工作采用了射频等离子体增强型化学气相沉积（RF-PECVD）技术，以SiH4和H<sub>2</sub>为反应气体源，在单晶硅、石英和玻璃衬底表面上制备了nc-Si:H薄膜。实验研究了不同H<sub>2</sub>稀释比、衬底温度和射频功率条件下对制备的nc-Si:H薄膜结构特征和光电特性的影响。
利用alpha-step200表面轮廓仪、DX-2500型X射线衍射仪（XRD）、激光波长为514.532nm的JYT64000型激光拉曼光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）、TU-1901型双光束紫外可见近红外分光光度计和keithley4200测试仪等设备对nc-Si:H薄膜的结构特征和光电特性进行了测试分析。结果表明，PECVD制备高质量nc-Si:H薄膜的典型工艺条件为：H<sub>2</sub>稀释比R为99%，衬底温度为250℃，反应压强为1Torr，射频功率为60W。
其中得到的nc-Si:H薄膜的晶化率为53.1%，晶粒尺寸为3.5nm，光学带隙E<sub>g</sub>为1.64eV。当H<sub>2</sub>稀释比增大时，n ...