微纳级SRAM器件单粒子效应理论模拟研究
随着国家航天事业的发展和战略需求的增加，半导体器件的抗辐射性能问题受到了广泛的研究，而单粒子效应作为影响宇航器件可靠性的关键因素已引起了越来越多关注。当今主流工艺的半导体器件均为微纳级尺寸，其对单粒子效应的敏感性也随之增加。
而传统的单粒子效应抗辐射可靠性工程中的多种因素在一定程度上受到了质疑且需要进一步考察，尤其是经典模型中微纳级器件由于集成度原因带来的新问题(比如：边缘效应变得严重等)，以及粒子特性和器件特性与单粒子效应相互依赖关系。本文基于理论模拟的研究和微纳级器件的新特点，对微纳级SRAM器件单粒子效应的微观机理及其多种影响因素展开了深入而系统的研究。
主要的研究内容与成果如下：(1)构建了适用于不同特征尺寸SRAM器件单粒子效应评估的多功能程序MUFPSA (Multi-Functional Package for SEEs Analysis)。基于Monte Carlo模拟的开源软件GEANT4，给出了对粒子特性、器件特性、作用过程等可变参量的单粒子效应分析工具。
其主要功能特点在于结合了经典RPP模型、粒子入射器件几何单元后电荷扩 ...