微电子器件44
    在亚阈区，表面弱反型层中的电子浓度较小，所以漂移电流很小；但电子浓度的梯度却很大，所以扩散电流较大。因此在计算 IDsub 时只考虑扩散电流而忽略漂移电流。
式中，
4.4.1 MOSFET 的亚阈漏极电流
    设沟道上下的纵向电势差为 ( kT/q ) ，则沟道厚度 b 可表为
    根据高斯定理，
    于是可得沟道厚度为
    式中 CD 为沟道耗尽区的单位面积 势垒 电容，