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电子科技大学电子工程学院《面向 5G 的 CMOS 毫米波多通道
         芯片设计》

其研究团队认为：
1、从工艺角度：CMOS 工艺可媲美 III-V 族工艺，CMOS 毫米波器件同样适用
于 5G 高频应用且具有低成本的优势；
2、从 5G 高频段应用角度：CMOS 毫米波芯片主要面临硅衬底器件模型建模，
电路噪声增加，功放增益降低，多通道相控阵集成和传统封装损耗过大等几个方
面的挑战。针对上述挑战，电子科技大学及国内外研究机构已有相应的解决方案；
3、从产业现状角度：认为国内集成电路产业投资及人才缺口仍然比较大，期望
国家针对集成电路产业能有更大投资额，同时期望更多有志青年投身集成电路产
业。
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中电科第五十五研究所《毫米波器件在 5G 中的应用》

介绍了 GaAs 工艺和 GaN 工艺的功率放大器方案以及混合工艺的前端模块方案。
目前毫米波射频前端主要有 Si 全集成和 Si+GaAs 两种技术途径，钱峰副总工对
这两种解决方案从 ...