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行业背景研究

行业现状分析

行业痛点及发展建议

行业格局及前景趋势
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刻蚀设备行业定义
刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除（光刻胶）开口下方的材料。被刻
蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。
刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层，通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽
层材料遮蔽的地方去掉，从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。湿法刻蚀:用液体
化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在3um以后由于线宽控制、刻蚀方向性的局限，
主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和残留物的清洗。干法刻蚀:常用
等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离子，与暴露的表面材
料发生物理反应、化学反应。刻蚀主要参数:刻蚀速率、均匀性、选择比（对不同材料的刻蚀
速率比）、刻蚀坡面（各向异性、各向同性）。应用最广泛的刻蚀设备是ICP与CCP，技术发
展方向是原子层刻蚀（ALE）。电容性等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低，主要用于介质材料
刻蚀（形成上层线路）——诸如逻辑 ...