据恒州诚思调研统计，2025年全球8英寸碳化硅（SiC）外延片收入规模约30.37亿元，预计2032年将攀升至近107.0亿元，2026-2032年CAGR达19.5%。2025年全球产能35万片，实际产量约26万片，产能利用率约74%，单片均价约1,600美元，行业毛利率维持在35%-50%区间。这一数据表明，8英寸SiC外延片正处于从6英寸向大尺寸迁移的关键窗口期。企业核心矛盾在于：新能源汽车与储能市场对SiC功率器件的需求呈指数级增长，而8英寸外延工艺在晶体均匀性、缺陷控制及翘曲管理方面的技术门槛显著高于6英寸，产能释放节奏与市场需求之间存在结构性错配。

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一、当前行业发展现状（2026年节点）

1. 大尺寸迁移加速，但6英寸仍占主导

8英寸SiC外延片通过化学气相沉积（CVD）工艺在8英寸衬底上生长高质量外延层，单片可切割芯片数量较6英寸提升约78%，规模化生产下成本优势突出。据相关报告，2025年8英寸SiC外延片在全球出货量中占比约22%，预计2028年将突破40%。Wolfspeed、SK Siltron、Coherent（II-VI）为全球前三大供应商，合计份额超55%。

2. 中国厂商快速崛起

天域股份（TYSiC）、天科合达、瀚天天成等中国企业已实现8英寸SiC外延片量产。据相关数据，中国厂商全球市场份额已从2024年的10%升至2025年的16%，增速显著高于国际同行。某国内头部SiC外延企业2025年8英寸产品良率已达88%，较两年前提升约12个百分点。

3. 下游应用以新能源汽车电驱为第一引擎

8英寸SiC外延片主要应用于600-1200V及1200-3300V SiC功率器件制造，覆盖新能源汽车电驱系统、高压工业逆变器、储能系统及电网设备。据相关数据，新能源汽车领域已贡献全球8英寸SiC外延片需求的67%，较2024年提升8个百分点。

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二、当前核心阻碍因素

1. CVD外延工艺良率瓶颈

8英寸SiC外延在厚度均匀性（需控制在±2%以内）、掺杂浓度一致性及缺陷密度（需低于0.3个/cm²）方面技术难度远超6英寸。据某头部外延厂商内部数据，8英寸产品良率较6英寸低约8-10个百分点，直接推升单片成本约15%-20%。

2. 上游衬底供应制约

8英寸SiC衬底仍高度依赖Wolfspeed、SK Siltron等少数国际供应商，国产8英寸衬底在微管密度（MPD）控制方面与国际水平存在差距。据相关报告，全球8英寸SiC衬底月产能约12万片，而外延环节需求已达18万片，阶段性供需偏紧支撑了高溢价。

3. 设备与资本投入门槛高

单台8英寸SiC CVD设备投资超3,000万美元，且石墨部件需定期更换，设备折旧与耗材成本显著推高固定资产投入。某国内SiC企业8英寸产线单GW投资约为6英寸的1.6倍，回报周期延长约18个月。

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三、2026-2032年未来前景与细分趋势

1. 8英寸将在2029年前后取代6英寸成为主流

受单安培成本下降驱动，预计2029年8英寸SiC外延片出货量将超越6英寸。据相关预测，2030年8英寸产品在车规SiC器件中的渗透率将达55%，较2025年提升33个百分点。

2. N型4H-SiC主导，厚膜需求快速增长

按晶型划分，4H-SiC占全球8英寸外延片出货量的92%以上；按厚度划分，15-50μm厚膜因适配1200-3300V高压器件需求，2026-2032年CAGR预计达24%，增速领先其他厚度区间。

3. 中国厂商份额有望2030年突破30%

受国产替代加速与资本密集投入双重推动，据SEMI 2026年预测，2030年中国厂商全球8英寸SiC外延片市场份额有望从2025年的16%升至30%以上，天域股份、天科合达、瀚天天成将跻身全球前五。

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