三星电子年内第三度推动DRAM涨价，叠加A股存储龙头江波龙上半年净利最高预增超743倍，存储芯片行业景气正从上游原厂加速传导至下游模组企业。
　　三星年内第三度推涨DRAM售价
　　7月3日，据媒体援引外媒报道，三星电子正与下游客户展开第三季度DRAM价格谈判，目标将通用DRAM平均售价较上季度提高20%。服务器和移动端均面临供给瓶颈的LPDDR，涨幅甚至有望超过20%。一家消费电子终端厂商负责人向第一财经证实，6月已收到三星DRAM提价的口头通知。
　　值得注意的是，这是三星今年第三次推涨DRAM售价。第一季度DRAM均价暴涨约90%，第二季度涨幅50%至60%。
　　本轮存储涨价的根源在于AI需求激增引发的供需错配——三星、SK海力士、美光三大原厂将大部分产能转向HBM，传统DRAM供给被大幅排挤，新增产能最快要到2027年放量。
　　不过，涨价能否完全落地仍有变数。据TrendForce集邦咨询预计，第三季度整体DRAM格局虽持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基期作用，合约价涨幅预计收敛至13%至18%。
　　存储赛道持续高景气，相关上市公司业绩也持续兑现。
　　江波龙最新发布的2026年半年度业绩预告显示，公司预计上半年实现归母净利润92亿元至110亿元，同比增长62204%至74394%，即最高预增约743倍。营业收入预计达220亿元至250亿元，同比增长116%至145%。
　　业绩爆发背后，江波龙已与多家全球头部存储晶圆原厂续签长期供货协议（LTA），锁定晶圆供应。公司在公告中直言，受下游需求增加以及全球存储晶圆产能总体增长有限的影响，全球半导体存储产业景气，为公司创造了良好的外部环境。
　　此外，江波龙的炸裂业绩并非孤例。多只存储芯片概念股中报业绩预告同样亮眼：长川科技中报净利同比预增110.76%至134.18%；富满微上半年归母净利润预增351.63%至407.54%；主营元器件分销的中电港净利也同比预增176.43%至193.01%。