低辐射薄膜的热稳定性研究
低辐射薄膜的热稳定性能具有重要的理论意义和实用价值，但尚未得到系统地研究和表征。本文以化学气相沉积法制备的掺杂F的SnO<sub>2</sub>（FTO）低辐射薄膜和磁控溅射法制备的Ag基低辐射薄膜为研究对象，分别在马弗炉和钢化炉中进行后期高温处理，采用X射线衍射仪、场发射扫描电镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和综合物理性能测试系统研究了其结构、形貌、光电性质的温度和时间效应。
采用显微拉曼光谱仪研究了FTO薄膜的室温光致发光机理。通过X光电子能谱分析了薄膜中元素的分布情况，探讨了薄膜电学性能的恶化机理。
主要研究结果如下：具有SnO<sub>2</sub>:F/SiO<sub>x</sub>Cy膜系结构的FTO低辐射薄膜具有良好的高温热稳定性，最高耐热温度为600℃，最长耐热时间为15min，当超过此条件时，光电性能恶化。FTO薄膜内部的主要组成为非化学计量比的SnO<sub>2-x</sub>:F（x≈0.8<sup>0</sup>.9），是金红石结构的多晶SnO<sub>2</sub>，以（200）晶面为最明显的择优取向。
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