InGaAs红外探测器器件与物理研究
本论文对InGaAs探测器的器件表征及器件性能进行了研究，主要分析了影响探测器暗电流及R<sub>0</sub>A的各种噪声机制，取得了如下结果： 1．从理论与实验两个方面对In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As探测器的I-V特性进行了分析，结果表明在反向偏置低压区，产生—复合电流占主导地位，在反向偏置高压区，带带间隧道电流占主导地位。研究了In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As探测器结面积和电极尺寸对探测器暗电流的影响。
探讨了In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As探测器反向偏压下暗电流的温度特性并对In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As探测器的R<sub>0</sub>A进行了分析，其中主要探讨了R<sub>0</sub>A随温度及i层载流子浓度的变化关系。此外，对In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As探测器的均匀性进行了研究。
2．测试了扩展波长In<sub>0.6</sub ...