深亚微米级集成电路用大直径CZSi单晶中微缺陷的研究
随着集成电路的飞速发展,特征尺寸不断缩小,对硅材料质量提出了越来越高的要求,当衬底材料的缺陷尺寸为ULSI特征线宽的1/3以上时,就成为致命的缺陷,会导致器件失效。如今在大直径直拉硅单晶中存在的空洞型原生微缺陷已成为影响集成电路成品率的关键因素。
本文利用原子力显微镜及快速热处理技术,针对大直径直拉硅单晶中的空洞型微缺陷进行了系统的研究,分析了空洞型缺陷FPDs的微观形貌,及在热处理过程中的行为。这些研究结果对于ULSI用大直径直拉硅单晶中的缺陷工程具有非常重要的意义。
研究了大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷FPDs的微观形貌,并利用原子力显微镜对其微观结构进行观察,实验发现FPDs外部轮廓为抛物线型,内部存在台阶结构,其空洞有单型和双型两种类型,在空洞两侧有对称凸起结构。本文提出了一个抛物线模型,对FPDs在Secco腐蚀液中的演变,进行了合理的解释。
研究了大直径轻掺直拉硅单晶中空洞型缺陷的热处理行为,实验发现硅片经1100°C以上高温RTA处理后,FPDs明显减少,其密度随着退火时间的延长而不断降低。探讨了高温RTA处理过程中FP ...