钛酸铜钙薄膜制备工艺及介电性能的研究
随着微电子工业的发展,对器件低功耗、高性能化、尺寸微型化以及集成化等方面提出了更高的要求。近年来,一种新型介电材料,钛酸铜钙(CaCu3Ti4012,CCTO),因其独特的介电行为、超高的介电常数,引起了研究者们广泛兴趣,有望成为制备超级电容器、可变电阻器、微波器件、气体传感器和能量存储器件的理想材料。
然而,CCTO材料巨介电常数的起源仍然不明确而限制了对其性能的进一步优化。此外,CCTO材料虽然有超高的介电常数,但同时伴随着较高的介电损耗,不利于材料的应用。
针对上述问题,论文以磁控溅射法制备的CCTO薄膜作为研究对象,考察了不同工艺条件处理对CCTO薄膜晶体结构、微观形貌及介电性能的影响,获得CCTO薄膜的最佳制备工艺参数;并初步探索共溅射法制备Nb掺杂CCTO薄膜的基本工艺。主要结论如下:一、制备了不同溅射气压(0.3 Pa,0.45 Pa,0.6 Pa,0.8 Pa 和 0.9 Pa)下的 CCTO薄膜,考察了溅射气压对预制备CCTO薄膜晶体结构和介电性能的影响。
研究发现,溅射气压为0.45 Pa时,所制备的CCTO薄膜的特征峰明显,杂 ...