(完好版)半导体工艺复习题..


填空20 ’  简答 20 ’ 判断 10 ’  综合 50 ’

                  第一单元

1.必定温度，杂质在晶体中拥有最大均衡浓度，这一均衡浓度就称为何？
固溶度

2.按制备时有无使用坩埚分为两类，有坩埚分为？无坩埚分为？（      P24 ）
有坩埚：直拉法、磁控直拉法
无坩埚：悬浮区熔法

3.外延工艺按方法可分为哪些？（      P37 ）
气相外延、液相外延、固相外延和分子束外延

4.Wafer 的中文含义是什么？当前常用的资料有哪两种？
晶圆；硅和锗

5.自混杂效应与互扩散效应（    P47-48 ）


左图： 自混杂效应是指高温外延时，      高混杂衬底的杂质反扩散进入气相界限层，  又从界限层
扩散掺入外延层的现象。自混杂效应是气相外延的本征效应，不行能完好防止。
自混杂效应的影响：
○1 改变外延层和衬底杂质浓度及散布
○2 对 p/n 或 n/p 硅外延，改变 pn 结地点
右图：互（外）扩散效应：指高温外延时，衬底中的杂质与外延层中的杂质相互扩散，惹起
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