单片机期末复习
指导老师：东哥完成者：MZ
硅片制造厂分区
二氧化硅制备方法
CVD（化学气相淀积）PVD（物理气相淀积）热氧化  1、热氧化生成二氧化硅掩蔽能力最强  2、质量最好、重复性和稳定性最好  3、降低表面悬挂键从而使表面状态密度减小，且能很好控制界面陷阱和固定电荷