大面积金硅面垒型核辐射探测器制备工艺及其性能研究
随着核科学技术和核物理实验的研究日趋深入,核科学技术研究和公共安全都对核辐射探测技术提出了更高的要求,核辐射探测器在生活中已经成为了不可缺少的一份子。金硅面垒型核辐射探测器具有结构简单、窗薄、线性响应好、成品率高,操作方便等优点,在核辐射领域得到了广泛的应用。
金硅面垒型核辐射探测器很早就是科研人员所研究的重点对象,由于这种类型的核辐射探测器具有诸多方面的优势,所以国内外早在70年代就存在它的研究资料。但经过整理后发现,之前国内外所研究的探测器,具有面积较小、漏电流偏大、制作和测试工艺都偏老化的缺点,同时,对于改变温度对电学特性的影响也鲜有涉及,并且没有较为系统完善的总结。
所以基于已知的研究成果,深入研究大面积金硅面垒型核辐射探测器的性能与器件制备工艺很有必要。本文完成了金硅面垒型核辐射探测器的制备与封装,并对其性能进行了测试分析。
主要工作如下:1.实验研究出了利用纯机械手段切割硅片的方法,既可以在实验条件相对简单的环境下制备出,又可以保证探测器器件的优秀性。2.根据实验条件,基于微电子工艺,制备了直径为22mm和26mm两种面积较 ...