几种半导体金属氧化物的发射光谱研究
国内外学者对CeO<sub>2</sub>、TiO<sub>2</sub>、ZnO、SnO<sub>2</sub>的发射光谱性质研究很多，也很深入，但是很少有人对这些半导体金属氧化物的发射光谱进行系统的对比研究。作者通过初步试验，发现它们的荧光光谱图有其一定的共性与个性。
因此，本文拟深入研究这些半导体金属氧化物的发射光谱特征及其演变规律。本次研究分别采用热沉淀法、溶胶-聚沉法、直接沉淀法、固相化学反应-水热合成法制备出CeO<sub>2</sub>粉体，将它们依次命名为TP-CeO<sub>2</sub>、SA-CeO<sub>2</sub>、DC-CeO<sub>2</sub>、G-CeO<sub>2</sub>；用固相化学反应-水热合成法合成出ZnO和SnO<sub>2</sub>粉体，分别命名为YG-ZnO和G-SnO<sub>2</sub>；用溶胶-水热法制备了TiO<sub>2</sub>粉体，命名为S-TiO<sub>2</sub>。
通过X射线衍射线线宽法及高分辨透射电镜研究可以知道，本实验合成的这些半导体金属氧化物粉体经过400℃热 ...