ALD原子层沉积综述及实验进展
汇报人：谢来军
ALD原子层沉积综述及实验进展
ALD发展过程简介ALD反应过程ALD的自限制性及其特点ALD的前驱体ALD 技术的发展ALD技术的应用试验过程
ALD发展过程简介
原子层淀积(ALD)是一种基于表面气相化学反应的薄膜淀积技术。也称为原子层外延(ALE)技术。1960年代,前苏联科学W.B.Aleskowskii首次报道了利用TiCl4和GeCl4前躯体进行ALD生长的工艺。19世纪 70年代就由芬兰人 T. Suntola 和 J. Anston 取得了该技术的专利。限制：复杂的表面化学反应 生长速率慢发展：90年代中期，集成电路尺寸向纳米级发展 沉积速率慢逐步得到解决