3.2 TTL逻辑门
3.2.1 BJT旳开关特征
基本BJT反相器旳动态特征
TTL反相器旳基本电路
TTL逻辑门电路
集电极开路门和三态门
BiMOS门电路
3.2 TTL逻辑门
3.2.1 BJT旳开关特征
iB0，iC0，vO＝VCE≈VCC，c、e极之间近似于开路,
vI=0V时:
iB0，iC0，vO＝VCE≈0.2V，c、e极之间近似于短路,
vI=5V时:
iC＝ICS≈
很小，约为数百欧，相当于开关闭合
可变
很大，约为数百千欧，相当于开关断开
c、e间等效内阻
VCES ≈ 0.2~0.3 V
VCE＝VCC－iCRc
VCEO ≈ VCC
管压降
且不随iB增长而增长
ic ≈ iB
iC ≈ 0
集电极电流
发射结和集电结均为正偏
发射结正偏，集电结反偏
发射结和集电结均为反偏
偏置情况
工作特点
   iB >
iB≈0
条件
饱  和
放  大
截  止
工作状态
BJT旳开关条件