镓铟氧化物薄膜和氧化锡薄膜的制备与性质研究
随着当今透明光电子器件的不断发展,要求透明导电薄膜的透明区域向紫外波段扩展,而且目前光电子学研究的一个重要领域是寻找短波长发光半导体材料。为满足紫外透明光电子器件和紫外半导体发光器件的发展需求,研究新型紫外透明宽带隙半导体薄膜材料具有重要的实际意义。
氧化铟(In2O3)和氧化镓(Ga2O3)薄膜都是宽带隙半导体材料,它们的光学带隙分别为3.6 eV和4.9eV。镓铟氧化物[Ga2xIn2(1-x)O3]可以看作由In2O3和Ga2O3材料按照不同比例形成的三元固溶体,Ga2xIn2(1-x)O3薄膜的带隙可以实现在3.6-4.9 eV范围内调制,很有希望作为紫外透明导电薄膜和紫外发光材料得以广泛应用。
然而,当前国内外对Ga2xIn2(1-x)O3材料的报道还很少,对Ga2xIn2(1-x)O3薄膜更是缺乏深入而系统的研究。本论文中,首先通过实验探索适合In2O3薄膜和Ga2O3薄膜外延生长的单晶衬底及实验条件；然后在此基础上进行Ga2xIn2(1-x)O3薄膜的制备,并对其结构和光电特性进行研究,为该材料在透明光电子器件领域的应用提供依据 ...