涵盖主题

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• 器件级权衡：比较GaN HEMT、SiC MOSFET和SiC共源共栅JFET
• 1 MHz 下的开关动态特性：了解寄生电容、栅极电荷损耗和缓冲电路要求
• 谐振变换器拓扑结构：评估堆叠式、单相和三相LLC架构
• 系统级效率分析：了解半导体选择如何影响总损耗、磁性元件和栅极驱动设计
• 物料清单优化：拓扑结构选择可以减少元件数量
  

应用说明概述

随着人工智能数据中心向 800 V 配电转型，并对日益紧凑的系统提出了更高的效率要求，高压中间总线转换器 (HV IBC) 变得至关重要。为了满足这些要求，设计人员正转向能够以接近 1 MHz 的频率工作的宽禁带半导体技术。本应用笔记比较了三种主流方案——横向 GaN HEMT、SiC MOSFET 和 SiC 级联 JFET——重点关注谐振转换器架构中的导通损耗、开关特性、寄生电容和栅极驱动要求。

下载此应用笔记，了解每种器件技术在实际高频 LLC 转换器工况下的性能表现。虽然三种方案的整体系统效率相近，但分析结果突出了重要的设计权衡：GaN 的优势在于极低的栅极电荷损耗，SiC MOSFET 的辅助损耗较高，而 CJFET 则具有显著的成本优势以及其他诸多优点。

该报告还评估了堆叠式、单相和三相 LLC 拓扑结构，展示了三相设计如何为高密度电源系统带来关键优势。所有这些见解构成了安森美半导体持续开展硬件验证工作的基础，指导着面向现代数据中心电源架构的未来高压 IBC 解决方案的开发。