一、市场趋势演变

（一）规模增长与区域分布

据恒州诚思调研统计，2025年全球汽车用IGBT模块收入规模约251.6亿元，到2032年收入规模将接近577.7亿元，2026 - 2032年CAGR为12.4%。亚太地区是全球最大的市场，占有大约71%的市场份额，其中中国作为全球最大的新能源汽车市场，份额约占全球总消费市场的40%，对汽车用IGBT模块的需求极为旺盛。

（二）应用领域拓展

在电动汽车领域，IGBT模块是电控系统的核心电子器件，主要用于电池管理系统、电机控制系统、空调压缩机系统、OBC（车载充电器）以及PTC（正温度系数热敏电阻）等。随着新能源汽车市场的快速增长，汽车用IGBT模块的市场需求不断增加。同时，在电动汽车充电桩等其他应用领域，IGBT模块也有着重要的应用，进一步拓展了市场空间。

（三）技术升级驱动需求变化

随着新能源汽车对电力电子系统的能效和可靠性要求不断提高，IGBT模块技术也在不断创新和进步。从早期的平面栅IGBT向沟槽栅IGBT演进，再到第七代精细沟槽栅场截止型IGBT的出现，不断降低开关损耗、创建更薄的结构，提升了IGBT模块的性能，推动了新能源汽车的发展，也带动了市场对高性能IGBT模块的需求。

二、核心竞争者战略布局

（一）国际巨头企业

全球IGBT模块核心厂商包括英飞凌、三菱电机、富士电机、意法半导体、安森美等。这些企业技术成熟度高，在高压、大电流领域具有较高市场份额。例如英飞凌推出的6500V/1200A IGBT，广泛应用于高压变频器、电力电子变流器等领域；三菱电机、东芝等公司的产品在光伏逆变器、电动汽车驱动系统等领域表现出色。它们通过持续的研发投入、长单锁定与本地化制造等方式，绑定车企平台，巩固市场地位。

（二）国内领先企业

国内企业如比亚迪半导体、斯达半导、中车时代电气、士兰微等在IGBT领域投入大量研发资源，实现了从跟随到并跑的转变。比亚迪推出的IGBT产品已应用于全球多个地区；中车公司在轨道交通领域采用国产IGBT，降低了对外部技术的依赖；斯达半导等企业在工业自动化领域推出高性能IGBT，满足了国内市场的需求。国内企业通过IDM模式扩产及与代工厂合作，提升产能，同时积极承接政策红利，与晶圆代工厂、封装厂及下游整车厂深度协同创新，锁定长期产能。

三、供应链结构内外特点

（一）上游原材料供应

IGBT模块生产所需的核心原材料主要包括硅晶片、金属银、铜箔、铝箔以及多种稀有金属元素。中国在上游原材料供应方面具有一定的优势，2026年全球硅晶片市场规模将达到约150亿美元，中国硅晶片产量将占全球总量的45%；全球金属银市场规模预计将达到约120亿美元，中国市场需求将占全球总量的28%；全球铜箔市场规模将达到约180亿美元，中国铜箔产量将占全球总量的50%；全球铝箔市场规模将达到约110亿美元，中国铝箔产量将占全球总量的37%。然而，金属银价格波动较大，产业链上下游企业需加强供应链风险管理。

（二）中游制造环节

中游制造企业分布广泛，国内外众多企业积极布局。国际巨头企业凭借技术优势和品牌影响力占据高端市场，国内企业通过不断提升技术水平和产能规模，逐渐在中高端市场崭露头角。制造环节需要具备先进的生产工艺和严格的质量控制体系，以确保产品的性能和可靠性。

（三）下游应用领域

下游应用领域以新能源汽车为主，同时涵盖电动汽车充电桩、工业自动化等领域。下游客户对IGBT模块的性能、质量和可靠性要求较高，且需求具有多样化和定制化的特点。企业需要根据不同客户的需求，提供个性化的产品和解决方案。

四、研发创新最新进展

（一）IGBT技术迭代

IGBT芯片已经迭代至第七代精细沟槽栅场截止型IGBT，芯华睿等企业通过对标国际头部功率半导体企业最新技术和工艺，推出了基于第七代1.6um pitch的微沟槽工艺IGBT芯片，进一步降低了开关损耗，提高了电流密度。

（二）碳化硅（SiC）技术突破

碳化硅MOSFET技术凭借其在耐压、高频及耐高温方面的物理优势，在800V高压平台中快速渗透。2023年渗透率已超15%，预计2026年将达40%。本土产业链在SiC衬底、器件设计及先进封装环节均取得实质性突破，推动系统效率提升与功率密度优化。

（三）智能功率模块与集成化创新

“多合一”电驱系统的集成化创新标志着竞争维度从单一器件向系统级解决方案延伸。企业通过将多个功能模块集成在一个系统中，提高了系统的效率和可靠性，降低了成本和体积。

五、法规政策环境适应性调整

（一）国家政策支持

国家高度重视IGBT产业发展，出台了一系列政策支持国产IGBT的研发和应用。例如“十四五”规划将新能源汽车列为战略性新兴产业的重中之重，明确提出实施产业基础再造工程，构建产业体系的自主可控、安全高效；工信部、国家发改委等部委多次出台政策，重点支持第三代半导体（如SiC、GaN）及高端IGBT模块的研发与产业化；国家制造业转型升级基金对头部功率半导体企业进行股权投资，财政部与税务总局联合实施集成电路企业税收优惠政策等。

（二）标准体系建设

国家市场监管总局发布GB/T18481 - 2023《道路车辆用功率半导体模块环境试验方法》，对标AEC - Q101与AQG - 324国际规范，强制要求新建产线必须具备 - 40℃至150℃的宽温区测试能力，政策倒逼产业升级，提升了国内IGBT模块的质量和可靠性。

六、投资机会分析

（一）潜在增长领域

高端IGBT模块市场：随着800V高压平台与SiC技术的协同效应爆发，高端IGBT市场规模将快速增长。预计到2028年，SiC - IGBT混合模块渗透率将达到18%，带动高端IGBT市场规模年均增长30%以上。国产头部企业将通过技术溢价抢占高端市场份额，投资者可关注具有技术优势和品牌影响力的国内企业。

碳化硅功率模块市场：碳化硅功率模块市场潜力巨大，随着规模上量，市场份额有望进一步增长。2024年，碳化硅功率模块的同比增长高达83%，远超行业增速。投资者可关注在SiC衬底、器件设计及先进封装环节具有技术突破的企业。

（二）风险评估

市场风险：全球宏观经济下行压力与贸易保护主义抬头的外部环境，可能影响新能源汽车市场的发展，进而影响汽车用IGBT模块的市场需求。此外，市场竞争加剧可能导致产品价格下降，影响企业利润。

技术风险：IGBT模块技术更新换代较快，如果企业不能及时跟上技术发展的步伐，可能导致产品竞争力下降，市场份额流失。例如，在高端微沟槽栅IGBT及SiC模块领域，进口替代空间依然广阔，但也面临着国际巨头的竞争压力。

政策风险：法规政策的变化可能对行业发展产生影响。例如，税收优惠政策的调整、产业补贴政策的取消等，可能增加企业的成本，影响企业的盈利能力。

（三）未来展望

基于行业特点、市场趋势、技术进步和政策走向等因素，预计未来几年全球汽车用IGBT模块行业将继续保持快速增长的态势。随着新能源汽车的普及和电力电子技术的不断发展，汽车用IGBT模块的市场前景将更加广阔。技术创新将重塑竞争格局，具有技术优势和创新能力的企业将在市场竞争中占据主导地位。同时，国内企业在政策支持和市场需求的推动下，将不断提升技术水平和产能规模，逐步实现国产替代，为投资者带来新的机遇。