超级结MOSFET晶圆通常指已经在硅晶圆上完成超级结（SJ）功率MOSFET器件工艺、但尚未切割成单颗芯片的器件晶圆/成品晶圆。超级结的核心在于漂移区内形成P/N交替的柱状结构，从而在维持高耐压的同时显著降低单位面积导通电阻，是高压硅MOSFET的重要技术路线之一。

据YHResearch最新调研报告显示，预计到2032年，全球超级结MOSFET晶圆市场规模将达到50.81亿美元，未来几年的年复合增长率（CAGR）将保持在8.1%的稳健水平。全球范围内，主要生产商包括STMicroelectronics、Infineon、Toshiba、Vishay等，其中前三大厂商占有46%的市场份额。

主要驱动因素

充电与电气化带动的高压应用扩张：车载OBC、DC-DC、充电桩以及各类PFC/LLC拓扑普及，使600–800V段高压MOSFET需求更稳；多家主流厂商将SJ产品定位在充电器与高效率电源场景，推动晶圆端持续迭代与放量。

主要阻碍因素

制程复杂、良率敏感：SJ晶圆制造常涉及多次外延叠层+离子注入/扩散（或深沟槽刻蚀/填充）等复杂步骤，且电荷平衡对掺杂与几何一致性极敏感；良率、可靠性一致性与产能爬坡难度高，限制成本快速下探。

行业发展机遇

AI数据中心/通信电源的高端化拉动：高功率密度电源更依赖高频PFC与LLC谐振，对器件开关速度与电荷特性更苛刻；而SJ技术路线持续围绕低电荷、低损耗与应用性能做代际升级，为晶圆端带来更高附加值的迭代订单。