Impact of illumination level and oxide parameters on Shockley–Read–Hall recomb - 经管之家

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Impact of illumination level and oxide parameters on Shockley–Read–Hall recomb

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收藏 2013-05-12

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【作者(必填)】
Armin G. Aberle, Stefan Glunz, and Wilhelm Warta
【文题(必填)】
Impact of illumination level and oxide parameters on Shockley–Read–Hall recombination at the Si‐SiO2interface【年份(必填)】
1992
【全文链接或数据库名称(选填)】http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v71/i9/p4422_s1?isAuthorized=no

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2013-5-12 20:22:00

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