GaAs半导体器件–电子器件和光电器件的中流砥柱.
GaAs作为第二代半导体材料,主要应用于电子器件和光电器件的生产。在电子器件中,GaAs主要用于无线通信、光通信、工业电子、军事电子等行业中的功率放大、转换等器件;在光电器件中则是LED和激光的基础材料。目前,GaAs半导体材料已经成为弱电控制和强电运行之间、信息科技与先进制造技术之间、传统产业实现自动化、智能化改造所不可缺少的桥梁。

材料革新–宽禁带GaN材料创造广阔未来.
由于耐压值和导通电压之间的反向关系,目前对Si材料和GaAs材料的开发已经达到了极限,越来越不能满足目前对半导体器件性能的需求,所以新型材质的半导体器件的产生显得尤为迫切。GaN作为第三代半导体材料,其宽禁带的特性决定了GaN半导体材料可以实现高耐压、低导通电阻、更高工作频率,相比于传统的半导体材料具备更为强大的功能且更为高效节能、更容易小型化,必然是未来半导体器件的发展方向。
“光”与“电”–电子器件和光电器件拉动GaAs/GaN器件需求.
GaAs/GaN半导体器件已经广泛应用于通信、电子、工业、交通、军工等各个方面。受益于这些行业的产业规模扩大及智能化、电气化升级,预计未来应用及市场将进一步扩容,前景非常巨大。

优势点突破,国内企业有望弯道超车.
由于现有核心部件的高技术壁垒,目前产业格局由国外厂商主导。我国企业的产品目前还都处于低端状态。在未来,基于国防安全和信息安全两方面的考虑,国家大力支持集成电路等基础电子产业的发展,功率器件有望在国家的支持下,取得技术和工艺等方面的突破,成为自主产业,我国企业有望在此机遇下迎来弯道超车的机机会。
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