產業研究機構Yole Développement(Yole)表示，新興非揮發性記憶體NVM，包括MRAM、RRAM和PCM等，隨著物聯網、5G、人工智慧(AI)、雲端運算等發展越受注目。認為，DRAM的發展將在未來五年繼續，但速度將放緩。由於3D半導體技術不斷進步，NAND密度不斷增加。新興的NVM不會取代NAND和DRAM，但會以各種記憶體加速的方式出現。此外，SCM(Storage Class Memory)將成為主要的新興NVM市場，並將在未來5年內由3D XPoint主導。

新興記憶體技術未來兩年將進入起飛期，從應用角度來觀察，Yole認為，包括MCU嵌入式NVM、工業/交通/消費性電子、企業SCM、客戶SCM等應用，2017年市場規模約9900萬美元，2018年市場規模約為2.8億美元，2019年將成長至10.8億美元，2017~2019年複合成長率(CAGR)高達230%。

從技術角度來看，MRAM將發展嵌入式MCU應用，因為所有大型代工廠都參與了此領域。獨立的RRAM將嘗試在SCM應用上獲得PCM的市場占有率。由於SCM應用，未來三年新興的NVM銷售量將成長一個數量級以上。

另外，MRAM和RRAM市場領域的晶圓代工廠參與度增加，GlobalFoundries、台積電、聯華電子、中芯國際和三星代工服務等皆積極投入，以提供有吸引力的服務。這一趨勢表明了代工廠對儲存業務的興趣日益成長。例如，也有產業消息傳出台積電宣布可能收購一家記憶體公司。

在獨立業務中，新興的NVM不會取代DRAM和NAND，而是將在記憶體模組中與它們結合使用，例如，SSD、DIMM和NVDIMM。在2023年，由於3D XPoint作為企業和客戶端SCM的日益普及，PCM將在獨立內存市場保持領先地位。值得注意的是，三星和東芝通過開發基於3D NAND的SCM解決方案採取了不同的戰略路線，如Z-NAND(三星)和XL-Flash(東芝，2018年8月展示)。但是，這些技術將用於企業級SSD，並且不會與相容DDR4的Optane DIMM競爭，預計這將占整體3D XPoint銷售額的50%以上。