艾司[color=var(--dark-grey)]摩爾（ASML）因應半導體3[color=var(--dark-grey)]奈米往下精進兩代製程需求，訂下2022年極紫外光（EUV）設備將再進化的目標，預計該款下世代秘密武器最快2022年推向市場。市場預料，台灣廠商有望領先韓系廠商採用。

艾司摩爾亞太區策略行銷高級總監Boudewijn Sluijk接受訪問時提到，目前該公司EUV設備已協助客戶5奈米大量生產，隨著下世代製程持續微縮，系統必須更精準、速度更快，艾司摩爾已和客戶合作著手下世代EUV微影系統（又稱High-NA EUV）開發。

Boudewijn Sluijk說明，目前EUV至少可支援至3奈米，下世代的EUV則是應對未來往下兩代的製程升級所需，不論客戶對相關製程代號為何，在3奈米未來的下二世代的最先進製程當中，High-NA的EUV系統更能支援客戶需求。

數據顯示，下世代EUV系統將具備創新的光學設計，其光學模組由4萬4,000個零件組成，因此體積將比現行EUV系統的光學模組還大。在解析度與疊對精度上，下世代系統也將提高40%。