合工大电力电子技术4章
第四讲 电力电子器件(三)
3.0 概述3.1 门极可关断晶闸管3.2 电力晶体管3.3 电力场效应晶体管3.4 绝缘栅双极晶体管
3.0 概述
门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor —GTO)在晶闸管问世后不久出现20世纪80年代以来,信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件,从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管(Giant Transistor——GTR)、电力场效应晶体管(Power MOSFET )、绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT)
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