静电纺丝技术制备半导体金属氧化物纳米材料及其气敏与光催化性质研究
近年来,作为污染物检测和分解的气敏和光催化技术广泛应用于环境保护和修复。因此用于制作传感器和光催化剂的材料吸引了越来越多的注意。
一维和准一维半导体金属氧化物由于其特殊的电子结构和比表面积大而有利于离子、电子、光子、气体和流体的传输从而在上述两种技术中表现出优异的性能。本论文中采用传统静电纺丝技术制备了La1-xSrxFeO3(?)内米纤维/纳米带,并通过装置改良及与其他方法复合制备了一系列具有特殊形貌和电子结构的金属半导体氧化物纳米材料：利用肩并肩纺丝装置得到了SnO2/ZnO、NiO/ZnO、NiO/TiO2并轴纳米纤维；利用电纺技术与湿度,老化时间控制结合合成了SnO2层状结构微米花,通过电纺与水热技术复合制备了NiO/TiO2梳状复合纳米纤维；采用XRD,FESEM,EDS等分析测试手段对样品进行了系统地表征。
通过JF02E气敏传感器测试系统使用已制备的样品对乙醇的敏感性进行了测试。结果表明：掺杂Sr2+含量40%的La0.6Sr0.4FeO3纳米带的敏感性及响应性较好,而具有特殊形貌和电子结构的金属半导体氧化 ...