硅微MEMS加工工艺
硅微MEMS发展里程碑
1987年UCBerkeley在硅片上制造出静电电机90年代初ADI公司研制出低成本集成硅微加速度传感器，用于汽车气囊。90年代末期美国Sandia实验室发表5层多晶硅工艺。
硅微MEMS工艺发展趋势
表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展；体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合，追求大质量块和低应力；表面工艺与体硅工艺进一步结合；设计手段向专用CAD工具方向发展。