第六章 薄膜晶体管（TFT）

主要内容
（1）TFT发展历程
（2）TFT种类、结构及工作原理
（3）p-si TFT电特征
（4）p-si TFT制备技术
（5）TFT应用前景
TFT发展历程
（1）1934年第一个TFT创造专利问世-----构想.
（2）TFT真正开始----1962年，由Weimer第一次实现.  特点：器件采取顶栅结构，半导体活性层为CdS薄膜.栅介质层为SiO,除栅介质层外都采取蒸镀技术. 器件参数：跨导gm=25 mA/V,载流子迁移率150 cm2/vs,最大振荡频率为20 MHz.CdSe----迁移率达200 cm2/vs
TFT与MOSFET创造同时，然而TFT发展速度及应用远不及MOSFET?!