半导体激光器工作原理及主要参数
　　半导体激光器工作原理是：通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种：电注入式、电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体激光器一般是由
GaAS
（砷化镓）、
InAS
（砷化铟）、
Insb
（锑化铟）等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导体激光器一般用
N型或者P型半导体单晶（
PbS、CdS、ZhO等）作为工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。光泵浦激励式半导体激光器一般用
N型或P型半导体单晶（
GaAS
、InAs
、InSb
等）作为工作物质，以其它激光器发出的激光作光泵激励。
　　目前在半导体激光器件中，性能较好、应用较广的是：具有双异质结构的电注入式
GaAs
二极管半导体激光器。
　　半导体光电器件的工作波长与半导体材料的种类有关。半导体材料中存在着导带和价带，导带上面可以让电 ...