射频芯片包括功率放大器、低噪声放大器和射频开关。根据Qorvo数据，移动终端随着制式的升级，单机射频前端价格呈现成倍的增长。2G移动终端的单机价格为0.55美金，到了4G手机，单机价值量提升到13.25美金，单机价值提升24倍；其中的射频芯片部分，功率放大器、开关、低噪放的单机价值量从2G时代的0.3美金提升到4G时代的5.5美金，提升18倍。根据Navian的预测，2015-2019年，用于移动通信终端的射频前端模块总市场模将会从 119.4 亿美元增长至 212.1 亿美元，复合年增长率达到15.4%。其中射频芯片所占据的规模约为40%，市场规模约为85美金，市场空间巨大。
    图表1：射频前端市场空间

    化合物半导体具有良好的高频、高功率和高线性的特性，成为5G时代射频芯片的最佳选择。化合物半导体工艺主要分为砷化镓(GaAs)和氮化镓（GaN）工艺，根据不同的晶体管类型来分，又可以分为PHEMT工艺和HBT工艺。 GaN的禁带宽度比GaAs高，GaN电子迁移率比GaAs快，GaN的导热率比GaAs高，因此GaN具有更高的击穿电压，更大的功率密度和更好的散热性能。GaAs在6GHz以下的射频器件有较好的表现，当需要高频高功率的场合，GaN器件有更好的表现。
    图表2：GaAs与GaN主要特性比较

    射频前端芯片产业链主要包括拉晶、外延、设计、代工、封装测试。化合物半导体产业链存在IDM模式和Fabless模式，IDM厂商具有芯片设计、晶圆代工和封装测试能力，目前国际三巨头均采用IDM模式方式；另一种为Fabless模式，Fabless设计厂集中于芯片设计，晶元代工和封装测试环节都进行外包。射频前端芯片的IDM厂商都具备功率放大器、开关和低噪声放大器的设计和制造能力；晶元设计厂同时具有功率放大器、开关和低噪声放大器的设计能力；晶元制造厂都具有功率放大器、开关和低噪声放大器的制造能力，射频芯片的竞争是产业链的竞争。
    图表3：化合物半导体产业链

    射频前端芯片领域，主要被海外巨头所垄断，海外的主要公司有Qrovo,skyworks和Broadcom,三家企业2016年财报披露的无线类营业收入总和为96亿美金；国内射频芯片方面，没有公司能够独立支撑IDM的运营模式，主要为Fabless设计类公司；国内企业通过设计、代工、封装环节的协同，形成了“软IDM“”的运营模式；国内射频前端芯片设计类公司2016年总收入低于20亿元，和海外巨头差距明显。国内射频芯片类公司在不断提高自身技术水平，缩小与海外巨头的差距。
    射频芯片设计方面，国内公司开始突破4G芯片市场，具有一定的出货能力；射频芯片设计具有较高的门槛，但具备射频开发经验后可以加速后续高级品类射频芯片的开发。国内射频芯片设计厂商有望在5G射频芯片市场有突破。
    射频芯片代工方面，台湾已经成为全球最大的化合物半导体芯片代工厂，台湾主要的代工厂有稳懋、宏捷科和寰宇，国内仅有三安光电和海威华芯开始涉足化合物半导体代工。三安光电是国内目前国内布局最为完善，具有GaAs HBT/pHEMT和 GaNSBD/FET 工艺布局，目前在于国内200多家企事业单位进行合作，有10多种芯片通过性能验证，即将量产。海威华芯为海特高新控股的子公司，与中国电科29所合资，目前具有GaAs 0.25um PHEMT工艺制程能力。
    封装方面，5G射频芯片一方面频率升高导致电路中连接线的对电路性能影响更大，封装时需要减小信号连接线的长度；另一方面需要把功率放大器、低噪声放大器、开关和滤波器封装成为一个模块,一方面减小体积另一方面方便下游终端厂商使用。为了减小射频参数的寄生需要采用Flip-Chip、Fan-In和Fan-Out封装技术。
    Flip-Chip和Fan-In、Fan-Out工艺封装时，不需要通过金丝键合线进行信号连接，减少了由于金丝键合线带来的寄生电效应，提高芯片射频性能；到5G时代，高性能的Flip-Chip/Fan-In/Fan-Out结合Sip封装技术会是未来封装的趋势。
    Flip-Chip/Fan-In/Fan-Out和Sip封装属于高级封装，其盈利能力远高于传统封装。国内上市公司，长电科技收购星科金朋后，形成了完整的FlipChip+Sip技术的封装能力。
    图表4：先进封装示意图