摩尔定律驱动下，硅片尺寸从6 寸—8 寸—12 寸的路径变化。硅单晶圆片越大，同一圆片上生产的集成电路就越多，这样既可降低成本，又能提高成品率，但材料技术和生产技术要求会更高。在摩尔定律的推动下，集成电路的集成度不断增加，即一个硅片上所集成的元器件的数目增多。而集成度提高的三个主要技术因素是：器件尺寸缩小、芯片面积增加及芯片集成效率提高。一方面，硅片边缘部分由于不平整和存在大量缺陷，因此在硅片上制造器件时，实际可利用的是大圆片中间的部分，当单个器件芯片面积增大的时候，硅片上成品率下降，所以要增大硅片面积。另一方面，晶圆越大，同一圆片上可生产同规格的IC就越多，可有效降低IC成本，利润空间也就越大。
8寸晶圆重要竞争力在于已形成了成熟的特种晶圆工艺，比如特种工艺技术能够令尺寸较小的晶粒包含较多的模拟内容或支援其他特殊市场所需的较高电压。特种工艺技术包括高精度模拟CMOS、射频CMOS、嵌入式存储器CMOS、CIS、高压CMOS、BiCMOS及BCDMOS，这些特种技术对晶圆厂的工艺参数有较为严格的容差限制，在成熟的8寸晶圆厂投产成品率较高。常用的DC-DC转换器、马达驱动器、电池充电器中的IC一般都使用8寸晶圆生产。
大部分8寸晶圆厂设备已折旧完毕，固定成本较低。8寸晶圆厂的产能在上世纪90年代末期开始提升，大部分晶圆厂现已完全折旧完毕，因此8寸晶圆厂的产品在经营成本上极具竞争力。虽然当前设备供应商不再制造8寸晶圆厂所用的新设备，但是他们通常会与8寸晶圆厂紧密合作，以具有成本效益的方式使设备寿命再延长10~15年。
8寸晶圆具有达到成本效益生产量要求较低的优势。12寸晶圆产线先进的洁净室和设备可以确保高产量、更紧密、更小的几何尺寸设计和更高的收益，同时也只容许极有限的误差，因此尽管该市场高速增长，但需要每年投入50~100亿美金才可兼具研发和在市场上的有效竞争力。以90nm、130nm及以上工艺技术节点为主的8寸晶圆厂所需的资本支出较小，因此即使在小批量生产时分摊固定成本也较低。
光罩及设计服务的相应成本较低：制程的金属层数随着工艺的演进不断上升，在130nm时典型的制程有六层金属，而到5nm节点时预期至少会有14层金属，即先进技术节点下晶圆成本较高。另外先进的技术节点需要引进新的技术，相应会增加掩膜版成本，以台积电为例，130nm技术节点约需要30层掩膜版，而到28nm以下的技术节点需要至少50层掩膜版。

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