產業研究機構IC Insights預測，2018年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是史上首次資本支出上超過1000億美元，同時較2017年的933億美元成長了9%，比2016年成長了38%。

其中超過一半的資本支出預計用於記憶體—主要是DRAM和Flash，包括對現有晶圓廠產線和全新製造設備的升級。預計今年記憶體投資將占到半導體資本支出的53%。儲存設備的資本支出在六年內大幅增加，幾乎翻了一倍，從2013年的27%(147億美元)增加到2018年的產業資本支出總額的53%(540億美元)，相當於2013~2018複合年成長率為30%。

在主要產品類別中，預計DRAM/SRAM的支出增幅最大，但預計Flash占今年資本支出的最大比重。預計2018年DRAM/SRAM部門的資本支出將在2017年強勁成長82%後再度出現41%的成長。預計2017年快閃記憶體的資本支出將在2017年成長91%後，2018年再成長13%。

經過兩年的資本支出大幅增加，一個迫在眉睫的主要問題是，高水平的支出是否會導致產能過剩和價格下降。記憶市場的歷史先例表明，過多的支出通常會導致產能過剩和隨後的價格疲軟。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/西部數據/SanDisk和XMC/長江存儲技術都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND Flash容量(以及新的中國記憶體新創公司進入市場)，IC Insights認為，未來3D NAND Flash市場供需過剩的風險正不斷提升當中。