(19) 中华人民共和国国家知识产权局
(12) 发明专利申请
(10) 申请公布号
(43) 申请公布日
(21) 申请号 202110988248.3
(22) 申请日 2021 .08.26
(71) 申请人 西湖大学
地址 310000 浙江省杭州市西湖区转塘街
道石龙山街18号
(72) 发明人 李兰 陈泽群 林宏焘
(74) 专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公
司 33200
代理人 贾玉霞
(51) I nt. Cl .
H01L 31/18 (2006.01)
H01L 31/0392 (2006.01)
(54) 发明名称
一种柔性光电子器件的制备方法
(57) 摘要
本发明公开一种柔性光电子器件的制备方
法，该方法采用氧化锗作为牺牲层，通过在氧化
锗层上沉积、图案化多种功能材料层，采用水作
为腐蚀液剥离衬底，得到柔性光电子器件。该制
备方法因氧化锗可承受高温、承受等离子体轰
击， 所以可以实现高质量光学薄膜在高温条件
下，在等离子体轰击诱导条件下的沉积和退火优
化，完成高性能柔性光电子器件的制备； 且在整
个柔性光电子器件制备过程中 ， 氧化锗遇水即
溶，水作为腐蚀液最大可能避免了薄膜材料的损
伤，保证了器件的完整性； 本发明的方法可扩展
到多种类光学材料柔性光电子器件，可以广泛应
用于集成光学器件、空间光学器件和电子元器件
的制备。此外，该方法还可用于实现柔性多层波
导集成器件。
权利要求书1页 说明书5页 附图3页
CN 113745370 A
2021. 12. 03
CN 113745370 A