共11道题，前面器件，后模电，最后数电。
　　第一道，让分析半导体的电阻率随温度的变化关系，画出曲线并分析。
　　第二道，是半导体物理，告诉导带底和价带顶的能量与波矢的关系，求禁带宽度，空穴和电子的有效质量，还有电子从价带顶跃迁到导带底时的准动量变化。
　　第三道，是一道计算扩散电流的题，还算简单，第二问求要使得电流为零所需加的电场强度。
　　第四道，是mos管电流的计算，但是最后一问考了速度饱和，写个没复习，不知道怎么算。
　　器件好像就这么几道其他的想不起来了。
　　模电具体的题号我都忘了，只能说说考了那些点，
　　首先2011年的真题原题又考了，
　　第五题，有好几道简单的问答题，1.问BJT与MOS管的跨导电流比，为什么BTJ要大，2.饱和时的cmos小型号等效电路图，3.让根据一个电路图设计电路，这次应该是一个积分运算电路，4.根据一个电路图分析一个二极管的导痛还是截止，5.一个运放后面接一个
mos管然后构成一个负反馈，分别在漏级和源级有两个输出电压，第一问判断输出极性和反馈组态，后面求对于两个输出电压的增益。
　　第六题，是一个含有三个运算放大器组成的电路，让 ...