依据恒州诚思所发布的自支撑氮化镓衬底晶片市场报告可知，该报告全面且深入地阐述了自支撑氮化镓衬底晶片市场的整体状况。不仅对市场的定义、分类、应用场景以及产业链结构进行了细致剖析，还深入探讨了相关的发展政策与规划、制造流程以及成本构成。同时，报告对自支撑氮化镓衬底晶片市场当前的发展态势以及未来的市场走向展开了深入分析。并且，从生产与消费两个维度，精准剖析了该市场的主要生产地区、主要消费地区以及核心生产商。

自支撑氮化镓衬底晶片作为一种运用同质外延生长技术精心打造的独立氮化镓（GaN）单晶衬底，具有显著优势。它无需依赖蓝宝石、碳化硅等异质衬底提供支撑，其最为突出的核心特性在于低缺陷密度、高热导率以及高击穿电压。这些特性使其在高性能光电子（涵盖LED/LD）、功率电子、高频电子等众多领域展现出极为广阔的应用前景。

YHResearch调研团队发布的最新报告“全球自支撑氮化镓衬底晶片市场报告2025 - 2031”显示，预计到2031年，全球自支撑氮化镓衬底晶片市场规模将大幅攀升至4亿美元，未来数年的年复合增长率（CAGR）为13.0%。

YHResearch头部企业研究中心的调研结果表明，在全球范围内，自支撑氮化镓衬底晶片的主要生产商包括住友化学（Sumitomo Chemical (SCIOCS)）、三菱化学（Mitsubishi Chemical）、住友电气工业株式会社（Sumitomo Electric Industries）、苏州纳维科技有限公司、镓特半导体科技（上海）有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、厦门博威先进材料有限公司、Kyma Technologies、无锡吴越半导体有限公司、苏州恒迈瑞材料科技有限公司等。在2024年，全球前五大厂商占据了大约87.0%的市场份额。

从产品类型来看，目前2英寸晶片是主要的细分产品，占据了大约84.1%的市场份额。从应用角度分析，2英寸晶圆凭借其较高的生产成熟度和较低的成本，在市场中占据主导地位。4英寸晶圆正逐步迈向商业化应用阶段，特别是在高功率和高频电子领域，不过其良率和性价比仍有待进一步提升。与此同时，全球及中国的领先企业正积极投身于6英寸自支撑GaN衬底的研发，旨在扩大其在下一代电力电子和光子应用领域的规模。一旦成功克服缺陷密度和可扩展性等技术难题，这些更大尺寸的衬底有望充分发挥规模经济效应，实现更高效的GaN器件制造。

就产品应用而言，目前光电子领域是主要的需求来源，占据了大约70.1%的市场份额。从应用场景来看，自支撑GaN衬底主要应用于光电子领域（包括蓝/紫/绿激光二极管和LED）、高频射频电子领域（如基站组件和卫星通信）以及电力电子领域（如电动汽车逆变器和工业电源）。其中，光电应用目前占比最大，这是因为该领域对低位错密度和高光学性能有着极为严格的要求，而自支撑GaN衬底在这些方面相较于异质外延解决方案具有显著优势。尤其是在投影、AR/VR和医疗诊断等领域，GaN基激光二极管的市场呈现出持续快速扩张的态势。随着GaN功率器件进一步渗透到电动汽车、可再生能源和消费电子领域，对大直径、高质量自支撑GaN衬底的需求预计将持续增长，推动该行业朝着4英寸和6英寸晶圆的商业化方向迈进。

主要驱动因素：

高功率与高频应用需求：氮化镓衬底凭借其高电子迁移率、宽禁带以及优异的导热性，在射频、5G基站、卫星通信与雷达等领域表现出色。
电力电子快速增长：自支撑GaN晶圆具有更低的缺陷密度和更高的效率，有力地推动了其在电动车充电、可再生能源系统与数据中心等领域的应用。
GaN - on - GaN技术进步：与GaN - on - Si或GaN - on - SiC相比，GaN - on - GaN具备更高的击穿电压、更低的漏电以及更高的可靠性，因此特别受到国防与航空航天领域的青睐。
政府与国防投资支持：美国、日本与欧洲加大了对新一代半导体的战略投资，加速了氮化镓衬底的市场化应用进程。
主要阻碍因素：

成本极高：自支撑GaN晶圆的价格远远高于GaN - on - Si或GaN - on - SiC，这在一定程度上限制了其在成本敏感型应用中的普及。
制造难度大：晶体生长工艺（如HVPE、氨热法）较为复杂，产率较低，给规模化生产带来了挑战。
替代材料竞争：SiC衬底已在电力电子领域实现了大规模商业化，对GaN衬底形成了竞争压力。
供应商有限：目前仅有少数企业（如住友电工、SCIOCS、PAM - XIAMEN）具备量产能力，导致供应链风险较高。
行业发展机遇：

6G与卫星通信：自支撑GaN衬底非常适合6G和低轨卫星网络中所需的超高频、大功率射频器件。
新能源汽车与快充生态：电动车渗透率的上升以及超快充电需求的增长，为GaN - on - GaN器件带来了巨大的发展机会。
国防与航空航天：相控阵雷达、电子战和高频通信等应用使得国防成为高品质GaN衬底的重要驱动力。