P型硅衬底异质结电池制备和氢气退火本征非晶硅层对HIT电池性能的影响
带有本征薄层的异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer,HIT)电池的结构特点是在PN结之中加入一层本征氢化非晶硅薄膜。HIT电池具有晶硅电池高效和薄膜电池工艺简单的优点。
松下公司宣布的最新HIT电池效率高达25.6%,该电池面积为143.7cm2,而目前晶硅电池效率记录为20.4%。本文研究的是P型硅片为衬底的异质结电池和N型硅片为衬底的单面HIT电池的本征层氢气退火处理,主要内容如下:(1)首先用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD)制备N型氢化微晶硅(n-μ-Si:H)薄膜,分别研究硅烷浓度、磷烷掺杂比例、辉光功率、衬底温度对薄膜晶化率、生长速率和暗电导率的影响,并制备n-μ-Si:H/c-Si异质结电池。
得到如下结论:①随着硅烷浓度的增大,薄膜逐渐由微晶硅向非晶硅区域过渡,生长速率逐渐加快,暗电导率逐渐降低;②随着磷烷掺杂比例的提高,薄膜的晶化率缓慢提高,生长速率呈现出先增大后减小的趋势,暗电导率逐渐降低;③随着辉光功率的增大,薄膜的晶化率逐渐 ...